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氮化硼生產廠家的小編今天給大家介紹一下關于六方氮化硼石墨烯平面異質結構相關介紹,石墨烯和氮化硼具有相似的結構,但電性能差異很大。氮化硼是一種白色,疏松,柔軟,光滑的粉末。而石墨烯自十多年前發明以來,石墨烯就吸引了科學家。他是僅僅只有一個原子厚度的碳元素材料,具有出色的電子性能,強度,超輕的重量以及越來越廣泛的用途。石墨烯是極好的導體,六水合硼是很好的絕緣體,可阻止電子流動。將它們放在一起,將獲得高質量的半導體。
中國科學院上海微系統與信息技術研究所,石墨烯/六方氮化硼異質結構平面研究取得了進展,研究團隊的研究員謝曉明以化學氣相沉積(CVD)法成功研制成功單原子層質量的石墨烯/六方氮化硼異質結構平面及其在WSe2/MoS2二維光電探測器中的成功應用。
石墨烯和六方氮化硼(H-BN)具有相似的結構,但電特性不同。石墨烯/六水硼化硼平面異質結由于其在基礎研究和器件探索中的潛力而備受關注。石墨烯/H-BN平面異質結通常通過依次沉積石墨烯和H-BN或以相反順序制備。由于后續膜的成核控制困難并且反應氣體在生長過程中容易破壞先前的膜,因此石墨烯/H-BN平面異質結的質量在當前文獻中并不令人滿意。上海微系統信息功能材料國家重點實驗室的盧光遠和吳天如等人,通過先沉積H-BN單晶,然后生長石墨烯,成功制備了高質量的石墨烯/H-BN平面異質結,基于高質量H-BN襯底和石墨烯薄膜的研究基礎。由于石墨烯在銅-鎳合金上的生長速度極快,因此較短的石墨烯沉積時間減少了石墨烯膜生長過程中對H-BN膜的損害。同時,由于Cu/Ni合金的優異催化能力,消除了石墨烯的無規成核,同時提高了氮化硼單晶的晶體質量,因此石墨烯的晶疇僅在三角形H的頂角成核。-BN單晶域并沿h-BN邊緣取向生長。小組和團隊合作,例如美國萊斯大學的JunLou教授使用合作培訓博士課程,在高質量的石墨烯/h-BN異質結平面中,以石墨烯為接觸電極,以h-BN作為絕緣襯底,制備了WSe2/MoS2二維光電探測器的研制,驗證了石墨烯/h-BN異質結平面的質量和電性能,基于異質結材料平臺進行了基礎研究和二維邏輯集成電路的應用提供了基礎。