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氮化硼介電聚合物復合材料

文章出處: 天元航材    責任編輯: 氮化硼廠家    發布時間:2021-01-04 10:54:32    點擊數:48    【
[導讀]: 氮化硼生產廠家的小編今天給大家介紹一下關于氮化硼介電聚合物復合材料相關介紹,氮化硼絕緣,柔韌性,塑料,適當的粘度,冷熱循環穩定性好,使用方便等是高分子材料在電子設備領域中用于熱管理...

氮化硼介電聚合物復合材料

氮化硼生產廠家的小編今天給大家介紹一下關于氮化硼介電聚合物復合材料相關介紹,氮化硼絕緣,柔韌性,塑料,適當的粘度,冷熱循環穩定性好,使用方便等是高分子材料在電子設備領域中用于熱管理的優點,但缺點是高分子“低導熱率”是這是一個大問題(普通聚合物的導熱系數僅為0.1到0.2 W /(mK)),因此,通常需要匹配導熱填料以提高導熱率,以滿足電子設備的導熱要求。常見的金屬導熱填料為Cu,Ag,Al等。當需要某些絕緣性能時,應選擇非金屬導熱填料,此外,石墨烯,碳納米管,金剛石等也是熱門的研究對象。

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BN具有六種晶體類型,最常見的是立方氮化硼(C-BN)或六方氮化硼(H-BN)。 C-bn與鉆石相似,主要用于制造切削工具。盡管導熱性也很強,但是制備和應用成本也很高。 H-bn具有類似石墨烯的層狀結構和具有晶格參數的白色粉末(稱為烯烴),可以用作高性能絕緣導熱聚合物復合材料。
氮化硼有什么好處?僅用于電子設備的材料僅具有導熱性是不夠的,并且填充劑的電性能也需要被視為重要因素。高介電常數的導熱填料(例如BaTiO3,SiC,ZnO等)會導致用作隔熱材料的復合材料的電擊穿強度不好,常用的絕緣系數低的絕緣導熱顆粒(如AlN, BN,Si3N4,Al2O3和MgO型SiO2),BN的介電常數(大約在4.0的寬范圍內)和介電損耗(1.0 x 108 hz,介電損耗為2.5 x 10-4)相對較低,并且具有優異的耐熱性和電擊穿強度,并且聚合物性能最接近。
因此,與進行隔熱的其他無機顆粒相比,H-BN是制備具有高電擊穿強度,絕緣電阻,低介電常數和介電損耗的導電聚合物的理想輕質填充劑。許多因素都會影響氮化硼/聚合物復合材料的熱導率,這將從h-BN粉末形態,表面改性,基質中的填料取向等方面進行解釋。
1.氮化硼表面處理
由于BN的化學穩??定性好,不易形成化學鍵,其本身在羥基的邊緣,較少的活性相對較低,因此需要對其進行改性,使其表面官能化,以增強親和力并改善其在基質中的分散性,例如,與包含相同含量的金剛石復合材料相比,將金剛石與h-BN micro混合后,復合材料的導熱系數顯著提高,這是由于導熱網絡數量增加或通過摻入h-BN micro相鄰金剛石晶粒引起的結合點增加,耐熱性明顯降低。
2.氮化硼顆粒的形貌
導熱填料/聚合物復合材料的性能與填料的形態有關,例如填料在聚合物基體中的大小,形狀和分散狀態,這會影響聚合物的導熱性。聲稱不同形式的氮化硼作為填料的組合可以使聚合物復合材料表現出優異的導熱性。
典型的片狀氮化硼,具有明顯的各向異性,典型的平面熱導率為300 w / mK,并且穿過平面的熱導率僅為30 w /(mK),通常具有片狀氮化硼和球形六方氮化硼聚集體的傾向各向異性(內部)可以促進網絡導熱性的形成,可以提高復合材料通過平面的導熱性。
3.氮化硼在基體中的取向
氮化硼在聚合物基體中的取向將影響復合材料的熱導率。實際上,氮化硼不會像我們想要的那樣排列,因此我們將需要非常堅固的東西。調整BN在基體中的方向的最常見方法是在BN上覆蓋敏感層,以使其對外部磁場作出響應。但是,該溶劑是劇毒的,并造成嚴重的環境污染。另一種方法是通過機械拉伸來調整BN在基體中的取向,這也可以提高復合材料的導熱性。
氮化硼生產廠家的小編就給你介紹到這里了,有疑問的可以電話咨詢我們!
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