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六方氮化硼上單層二硫化鉬的定向外延

文章出處：天元航材責(zé)任編輯：天元化工新材廠家發(fā)布時(shí)間：2018-08-22 17:38:43 點(diǎn)擊數(shù)：112 【大 中 小】

[導(dǎo)讀]：最近，中國(guó)科學(xué)院物理研究所納米物理與器件實(shí)驗(yàn)室張廣宇課題組報(bào)道了采用化學(xué)氣相沉積法在六方氮化硼單晶上定向外延單層二硫化鉬薄膜，并對(duì)薄膜特性進(jìn)行了仔細(xì)研究。六方氮化硼與二硫化鉬都具有...

六方氮化硼上單層二硫化鉬的定向外延

最近，中國(guó)科學(xué)院物理研究所納米物理與器件實(shí)驗(yàn)室張廣宇課題組報(bào)道了采用化學(xué)氣相沉積法在六方氮化硼單晶上定向外延單層二硫化鉬薄膜，并對(duì)薄膜特性進(jìn)行了仔細(xì)研究。六方氮化硼與二硫化鉬都具有三重對(duì)稱性，是具有原子級(jí)平整表面的絕緣體。所制備的薄膜由兩種取向的晶粒構(gòu)成，兩種取向的晶粒彼此夾角為60度，兩種取向的晶粒在氮化硼襯底上具有相等的能量最低態(tài)。高分辨透射電鏡證實(shí)薄膜只具有60晶界。目前為止，最大限度的減少了二硫化鉬薄膜的晶界。提高了樣品質(zhì)量。他們將薄膜制備成場(chǎng)效應(yīng)晶體管，晶體管具有大約30cm2V-1s-1的電子遷移率和106的開(kāi)關(guān)比。最后他們調(diào)控生長(zhǎng)前驅(qū)體的濃度得到不同截止邊界的二硫化鉬晶粒，拓寬了樣品的應(yīng)用范圍。

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