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場發射特性的發展速度很快，目前碳納米管場發射已經不是一個新的研究項目。隨著人造金剛石氮化硼薄膜的誕生。利用其類似金剛石的特性，且能夠形成均勻、平坦的氮化硼膜。為封裝電子設備和平面場發射器提供了優越的條件。
尤其是立方氮化硼具有寬帶隙、高熱穩定性、化學穩定性能和表面負電子親和勢，且硬度極高，僅次于金剛石，因而具備大面積發射穩定、壽命長和低開啟電壓的突出優點。
很多人利用等離子體輔助化學氣相沉積法、離子束輔助沉積、離子鍍、濺射沉積等各種物理和化學氣相沉積方法在真空條件下可獲得氮化硼或含氮化硼相的膜/我們利用磁控濺射方法，在基底加偏壓和加熱470攝氏度的情況下制備納米氮化硼薄膜。
磁控濺射方法制備的氮化硼薄膜有較穩定的場發射特性，發射特性與膜厚和沉積時基底偏壓有關，基底加160V偏壓的氮化硼薄膜場發射開啟電場最低?；姿悠珘合嗤瑫r，在納米薄膜的情況下，存在一最佳厚度，此時開啟電場最低。這是因為基地和氮化硼的功函數不同，它們間存在界面電子轉移，界面電子轉移有一定厚度，使本不導電的氮化硼薄膜在納米厚度范圍（100納米）內有一定的電子分布，從而在基底與氮化硼薄膜之間建立電子傳輸通道，電子在外電場的作用下隧穿表面勢壘，發射到真空。
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