根據中國科學院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重點實驗室薛群基院士和張廣安研究員帶領的團隊的最新研究進展，在壓力誘導調控六方氮化硼電學性能理論研究取方面取得新進展。

 六方氮化硼作為一種寬帶隙絕緣體阻礙了其在電子器件中的廣泛應用，而研究其帶結構工程可以開發其許多潛在的應用價值。比如調控其帶結構的轉變：直接帶隙-間接帶隙之間的轉變對于其在涉及發光的納米器件及紫外激光器件中的應用有很重要的意義。這些都會激發研究者們通過各種可行的手段來調控其帶隙，到目前為止調控六方氮化硼帶隙的手段主要有施加電場、摻雜、變形等。盡管這些方法都有助于調控六方氮化硼的帶隙，但是帶隙過渡的本質仍然是不清楚的，晶體結構的變化及帶隙過渡與其電子性能之間的聯系依舊需要進一步的研究。

我們用法向壓力調控六方氮化硼帶隙，它與以上方法相比是一種簡單可行的手段，也不會引入外來雜質。再加上六方氮化硼在法向壓力作用下電子性能的轉變還沒有系統的報道過，許多有趣的現象仍需要探索，而且深入理解六方氮化硼的電子性能與壓力之間的關系對于其在電子器件等方面的應用有很重要的意義。為此，我們進一步研究了三種不同堆排列模式的六方氮化硼在法向壓力作用下的電子性能的變化，用第一性原理的方法計算了三種堆排列模式的六方氮化硼在壓力作用下的吸附能、帶隙的變化并用能帶結構及電子局域泛函來分析其帶隙隨壓力的變化趨勢。結果表明法向壓力可以很好的調控六方氮化硼的帶隙，堆排列模式Ⅰ和Ⅱ下，帶隙隨壓力的增大先減小后增大再減小，這與電場調控下帶隙單調減小的變化趨勢是非常不一樣的，而堆排列模式Ⅲ下帶隙隨壓力的增大單調減小。當壓力達到34.3%（堆排列模式Ⅱ）時，六方氮化硼由直接帶隙向間接帶隙轉變，這對于六方氮化硼在發光器件中的應用具有很重要的意義；壓力達到28.6%（堆排列模式Ⅰ）和45.7%（堆排列模式III）由絕緣體向半導體過渡，這對于六方氮化硼在電子器件中的廣泛應用具有很重要的意義。

氮化硼作為近代發掘的新興基礎材料，各類型的應用都有待開發，猶如沉睡的金礦等待發掘。