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寬帶隙半導體材料

文章出處: 天元航材    責任編輯: 天元化工新材廠家    發(fā)布時間:2022-03-01 11:49:21    點擊數(shù):7729    【
[導讀]: 天元航材化工原料廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于寬帶隙半導體材料的相關(guān)介紹,天元是一家生產(chǎn)銷售六方氮化硼,氮化硼粉體等氮化硼的化工原料廠家,已有50年的生產(chǎn)工藝經(jīng)驗,六方氮化硼是一種具...

寬帶隙半導體材料

天元航材化工原料廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于寬帶隙半導體材料的相關(guān)介紹,天元是一家生產(chǎn)銷售六方氮化硼,氮化硼粉體等氮化硼的化工原料廠家,已有50年的生產(chǎn)工藝經(jīng)驗,六方氮化硼是一種具有高機械強度的寬帶隙材料,那么您知道寬帶隙半導體材料是什么嗎?一起來看看吧!

寬禁帶半導體材料是室溫下禁帶寬度大于2.2eV的半導體。主要用于短波長發(fā)光器件、紫外光檢測和高溫、大功率電子器件。氮化鎵、碳化硅、六方氮化硼和氧化鋅都是寬禁帶半導體材料,由于它們的禁帶寬度在3電子伏以上,在室溫下不可能將價帶電子激發(fā)到導帶。器件可以在高溫下運行,例如碳化硅最高可達600攝氏度;如果將鉆石制成半導體,它們的溫度會更高,并且可以使用設(shè)備來收集鉆探石油所需的信息。它們在航空、航天等惡劣環(huán)境中也有重要應用。廣播電臺、電視臺,唯一的大功率發(fā)射管或電子管,還沒有被半導體器件取代。這些電子管壽命只有兩三千小時,體積大,耗電大;如果采用碳化硅大功率發(fā)射器件,體積至少可以縮小幾十到幾百倍,使用壽命會大大提高,所以高溫寬禁帶半導體材料是一種非常重要的新型半導體材料。
六方氮化硼的寬帶隙使其成為良好的絕緣體,保護PEI薄膜在高溫下不被介質(zhì)擊穿,這也是其他聚合物電容器失效的原因。當今最好的商業(yè)聚合物在176°F以上的工作溫度下開始失去效率,但六方氮化硼涂層PEI可以在392°F有效工作。涂層PEI在55000次充電和放電循環(huán)中保持穩(wěn)定,即使在高溫下也是如此。
聚合物太陽能電池以其重量輕、柔韌性好、成本低等獨特優(yōu)勢,近10年來受到了世界各國科學家的廣泛關(guān)注。如何在保持高開路電壓的同時拓寬材料的分子吸收,是有機光伏領(lǐng)域的重要研究內(nèi)容。利用疊層器件結(jié)構(gòu)將兩個不同吸收范圍的單結(jié)電池串聯(lián)起來,可以同時實現(xiàn)寬吸收光譜和高開路電壓,是提高有機太陽能電池效率的有效方法之一。目前,寬禁帶聚合物光伏材料種類相對較少,這在一定程度上限制了疊層電池的子電池之間的光譜互補性,進一步限制了效率的提升。
天元航材化工原料廠家的小編今天就給您介紹到這里,有疑問的可以電話咨詢小編我!
參考資料:https://baike.baidu.com/item/%E5%AE%BD%E5%B8%A6%E9%9A%99%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99/9095094
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