天元航材是一家擁有50余年的生產技術工藝沉淀的化工原料廠家，主營產品有六方氮化硼（白石墨烯、HBN）等氮化硼化工原料產品。今天，小編給大家介紹下關于高溫半導體P-N結器件的相關知識，高溫半導體P-N結器件是什么？那么高溫半導體P-N結器件如何制備呢？一起來看看吧！

ps：天元航材不提供高溫半導體P-N結器件，以下僅對高溫半導體P-N結器件相關制作工藝進行簡單介紹！

很早之前電子器件材料用原材料通常以硅半導體為主，但硅半導體材料在200℃之上的時候會不起作用，因此有研究者發現和石墨特性類似，被稱作白石墨的氮化硼是個能夠取代硅的優秀原材料，如今已經成為制作半導體材料的主要原材料的一種。

氮化硼能夠應用在制作半導體元器件方面，由P型與N型半導體結合而構成的單結半導體元件，最常見的就是二極管，日本科學家利用生長大的單晶體立方氮化硼(C-BN)的前沿技術成就，這些人順利地創造了世界第一個可在650℃條件下穩定工作的P-N結型二極管。

寬禁帶半導體（如AlN、GaN、h-BN等）是制作pn結的重要原材料的一種，當h-BN中的n型施主雜質能級（如Ge）,與此同時引進另外一個犧牲性配位雜質，與Ge的軌道完成耦合，則有可能調控其雜質能級具體位置，乃至使之具體位置變淺。并且利用O的2pz軌道與Ge的4pz軌道之間強烈的耦合作用，，借助系統能級總能的守恒，當借助分裂產生其中的一個犧牲性的、更深層次的能級，則可以有效的將另外一個施主能級拉高，導致其變成極淺的能級，離化能可降低至貼近0meV而得到合理有效導電性。因此我們可以采用低壓化學氣相外延（LPCVD）方法，引進GeO2作為配位摻雜劑，完成了Ge-O雜質向二維h-BN薄膜的原位耦合摻雜，借助退火處理，最終在單層h-BN中得到了高做到100nA的n型電流，自由電子濃度做到1.941016cm-3。

下面給大家介紹一類高溫半導體P-N結器件的制備工藝方法
1、準備好一塊基板；
2、在基板中產生一一號掩模層；對該基板完成一一號光刻蝕刻工藝，從而去掉一部分該一號掩模層并且于該基板中產生一溝渠結構；
3、在第一溝渠結構中進行一一號離子注入加工工藝，從而于該基板中產生一一號深度引入區域；
4、對基板完成一第二光刻蝕刻工藝，從而去掉一部分該一號掩模層從而形成一側壁結構；
5、在溝渠結構的下方與本側壁結構上產生一第二掩模層；
6、對基板完成一第三光刻蝕刻工藝，從而于該溝渠結構中產生一柵極結構；
7、在溝渠結構中進行一第二離子注入加工工藝，從而于該基板中產生相鄰于該一號深度引入區域的一第二深度引入區域；
8、在去掉光致抗蝕劑后在該溝渠結構中進行一第三離子注入加工工藝，從而于該基板中產生相鄰于該第二深度引入區域的一第三深度引入區域；
9、蝕刻工藝，從而去掉一部分該第二掩模層；
10、在溝渠結構的下方、該柵極結構的表面與本側壁結構上產生一金屬材料層；
11、最后對基板完成一第四光刻蝕刻工藝，從而去除掉一部分該金屬材料層后制作而來半導體P-N結二極管。