[導讀]: 石墨烯的一系列獨特特性不斷被人們發現,如極高的載流子遷移率——理論值達100萬平方厘米·伏^-1·秒^-1(cm^2·V^-1·s^-1)、反常量子霍爾效應、室溫量子霍爾效應、零質量狄拉克費米子行為,以...
石墨烯的一系列獨特特性不斷被人們發現,如極高的載流子遷移率——理論值達100萬平方厘米 · 伏 ^ -1 · 秒 ^ -1(cm ^ 2·V ^ -1·s ^ -1)、反常量子霍爾效應、室溫量子霍爾效應、零質量狄拉克費米子行為,以及超高的機械強度和熱導率、優異的透光性和導電性、超高的比表面積等。這些優異的性能使得石墨烯在微電子、傳感器和生物醫學等領域具有廣闊的應用前景,因而石墨烯也被稱為“黑金”。
如今,石墨烯等二維材料與器件的研發競爭日趨激烈,國際半導體技術路線圖已經將石墨烯等二維材料列為有望延續摩爾定律的新材料,廣泛應用于高性能集成電路和新型納米電子器件中。未來,由二維晶體構成的二維納米電子器件有望給微電子技術帶來突破性的變革,甚至有可能動搖占據集成電路主導地位半個世紀的硅基微電子器件的地位,并廣泛應用于人們的日常生活中。
以石墨烯為代表的二維材料在替代傳統半導體材料走向微電子領域、應用于大規模集成電路制造的過程中充滿了機遇,同時也面臨著許多亟需解決的重大科學難題。例如石墨烯微電子器件的制備和應用需要較高的載流子遷移率、合適的帶隙、較低的晶內缺陷、平整的表面、較小的電荷雜質濃度、均勻的介質覆蓋等。
面對以上難題,六方氮化硼(h-BN)是目前最具潛力的一種石墨烯器件絕緣基底。六方氮化硼體材料與石墨是等電子體,具有與其相似的層狀結構,外觀色白,俗稱“白石墨”。其具有與石墨烯相同的層狀六邊形平面結構,具有原子級的平整表面,在面上沒有懸掛鍵,與石墨烯的晶格失配僅為1.8%,摻雜效應弱,能夠最大限度地保持石墨烯的本征物理性質。
有報道稱,將石墨烯轉移到六方氮化硼基底上后,測得的電子遷移率比在二氧化硅表面獲得的結果提高了一個數量級。但目前利用化學氣相沉積法制備的六方氮化硼薄膜大多為小晶疇組成的單層,大面積均勻多層氮化硼薄膜的制備技術仍然沒有取得突破。
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