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中科院上海微系統所信息功能材料國家重點實驗室研究人員通過引入氣態催化劑的方法，在國際上首次實現了石墨烯單晶在六角氮化硼表面高取向快速生長。
該團隊在前期掌握石墨烯單晶、形核控制和襯底的取向關系的基礎上，用乙炔為碳源，創新性地引入硅烷作為催化劑，通過化學氣相外延的方法制備晶疇尺寸超過20微米的石墨烯單晶，生長速率較之前的文獻報道提高了兩個數量級，超過90%的石墨烯單晶與氮化硼襯底嚴格取向，呈現由莫瑞條紋引起的二維晶體結構，制備石墨烯的霍爾遷移率超過2萬平方厘米每伏秒。
氮化硼在空氣中抗氧化溫度高達900℃，惰性環境下在1800-2000℃開始分解，膨脹系數為10-6，僅次于石英。2000℃下電阻為104Ω/cm，陶瓷中最好的高溫絕緣材料，介電常數為4，能透微波，常用作雷達天線的外保護層。
BN與大多數氧化劑、無機酸/堿不發生化學反應，呈現化學惰性，表現出良好的耐腐蝕性；作為一種先進的納米材料和陶瓷材料，氮化硼納米材料以其優秀的物理和化學性能受到了各個領域的青睞，在光電、環保及日化等領域也必將發揮更重要的作用。我們需要在已有的研究和應用基礎上，開拓思路，實現氮化硼納米材料的大規模、經濟實惠、零污染合成，促進廣泛應用。
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