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氮化鋁陶瓷基板

文章出處: 天元航材    責任編輯: 天元化工新材廠家    發布時間:2023-07-07 09:38:37    點擊數:811    【
[導讀]: 天元航材給大家介紹下關于氮化鋁陶瓷基板的相關知識,我們的六方氮化硼可用于制備氮化鋁陶瓷基板過程中嗎?那么氮化鋁陶瓷基板如何制備呢?一起來看看吧!

氮化鋁陶瓷基板

天元航材是一家擁有50余年的生產技術工藝沉淀的化工原料廠家,主營產品有六方氮化硼(HBN、白石墨烯)等硼系列化工原料產品。今天,小編給大家介紹下關于氮化鋁陶瓷基板的相關知識,我們的六方氮化硼可用于制備氮化鋁陶瓷基板過程中嗎?那么氮化鋁陶瓷基板如何制備呢?一起來看看吧!

ps:天元航材不提供氮化鋁陶瓷基板,以下僅對氮化鋁陶瓷基板相關制作工藝進行簡單介紹!

陶瓷基板產品問世,打開散熱應用領域行業發展,陶瓷基板指的是銅箔高溫下直接鍵合到氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)陶瓷基片表面(單層或雙層)上面的新工藝板。按材料來區分可以分為Al2O3、BeO、AlN等多種。具備可靠性高、結合力強、高強度、高導熱率、高絕緣性等優質性能指標。主要應用于汽車電子、大功率電力半導體模塊、航天航空及軍工用其他電子元件、LED照明等領域中。

近年來,隨著大規模集成電路及其電子設備朝著高速化、多用途、微型化、大功率的方面發展,各種各樣應用領域對性能卓越、高密度電路的需求將增長。在其中A1N陶瓷的應用領域尤為突出。

A1N是III-V族半導體化合物,其晶體是以[A1N4]四面體為結構單位的共價鍵化合物,25℃時晶格常數a0=3.1172,c0=4.9816,屬六方晶系。A1N陶瓷是新型無機非金屬材料,最高可穩定到2473K,具備可靠的電絕緣性能、相對較低的介電損耗、低介電常數、出色的熱導率等出色的性能指標,并且具有與Si相近的熱膨脹系數等等一些列出色的特性,被視作高集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。因而有關于A1N功能陶瓷材料的研究受到了廣泛關注。

然而,電路密度和功能的不斷提升造成電路工作溫度不斷攀升,為了避免元件因熱聚集和熱循環的作用造成損壞,對基板材料的低介電常數、低熱膨脹系數、高熱導率等方面提出的問題更加嚴格的。

為了解決以上出現的難題,下面給大家介紹一種氮化鋁陶瓷基板的制備工藝方法

1、將比例為(1~5):1的六方氮化硼粉體和氨硼烷改性劑分散在第一溶劑(丁醇、乙酸乙酯、丙醇或乙醇)中,獲得氮化硼混合溶液,再將混合溶液倒進砂磨機中,在轉速為700~1200rpm下,快速加工處理30~60min后,空氣干燥粉碎碾磨后獲得改性氮化硼;
2、將改性氮化硼、小于3μm的氮化鋁超細粉、多元燒結助劑(YF3-CaF2、Y203-Ca0、Y203-Ca0-Li20、Y203-CaF2或Y203-Ca0-Li203)、粘接劑(聚乙醇縮丁醛、聚乙二醇或聚氨酯)及其第二溶劑利用高分子混料設備攪拌均勻后獲得燒結漿料;
3、將流程二的燒結漿料通過真空脫泡機脫泡處理之后,利用流延機,獲得一定的厚度的流延帶;
4、將流程三的流延帶經沖切、層壓、排膠和燒結后獲得細密的氮化鋁陶瓷基板。
5、將氮化鋁陶瓷基板用等離子體處理表面,然后再把銅箔貼到上述氮化鋁陶瓷基板上,基通過1000~1100℃處理之后獲得所需要封裝材料。

今天,小編就給大家介紹到這里了,如有疑問,歡迎致電咨詢小編!

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